
众所周知,我国的芯片行业面临着美国的强烈惩罚,无法获得生产高级流程所需的EUV设备。这只能通过不断改进的DUV设备来提高过程功能。最近,在互联网上传播了大量信息:国内5NM始于历史上的成功,不仅实现了大规模劳动,而且从早期的35%显着增加到60%-70%,接近TSMC早期的收益水平。根据微博的举报人的“ Correfocus Digital”,5纳米SMIC过程的产量增加到60%-70%。他进一步说,SMIC的5纳米产量与三星电子GAA的3纳米过程相当。后者被用来生产配备了Galaxy Z Flip 7的Exynos 2500芯片。根据其先前的披露,SMIC计划完成由2025年,但由于使用深层胶质膜设备而不是强烈的紫外线(EUV)设备,预计成本将增加50%。如果Jukanlosreve说这没错,那么他的疑问就不会是合理的。有传言说,在这一突破之后,工程师在没有EUV光刻机器的情况下选择了DUV设备,这是一种相对且廉价的光刻技术。但是,解决DUV设备是有限的,难以直接满足高级流程的要求。为了解决这个问题,工程师使用四倍图案技术(SAQP)。通过此过程中的许多曝光和复杂的步骤,这种基本技术正在升级地完善芯片中的线条和模式。目前,没有真正使用市场上看到的Smic 5nm的产品。最新的Kirin X90芯片采用了7NM流程。假设商业技术的收获至少为70%SMIC 5nm很难达到这一水平。但是,如果谣言是真的,毫无疑问他将对我国的所有与CHIP相关的制造商都是一个重大好处。也有传言称即将到来的华为系列将使用传闻中的国内5NM流程制造的Kirin 9030 SoC,所以让我们拭目以待。目前,世界正在关注我国芯片行业的技术能力。外国媒体还报告说,大陆测试了EUV开发的EUV设备。预计将在今年的第三季度开始进行测试。应用程序的实际状态引起了市场的高度关注。如果效果很好,那么全球最大的半导体制造设备制造设备ASML将面临毫无疑问的挑战。如果我的国家完成了自己的EUV设备生产,则意味着我国家的半导体行业被技术瓶颈打破了,并有机会继续促进先进的流程技术,甚至挑战英特尔,三星或TSMC。这意味着特朗普美国的政府希望对我国的“技术包围”政策实施完全损失。